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具有共享开位线读出放大器架构的存储器件
Memory device having shared open bit line sense amplifier architecture
US-7317646-B2用于存储器件，通过共享读出放大器提高集成度。
专利摘要
提供一种具有共享开位线读出放大器架构的存储器件。该存储器件包括存储单元阵列，每个存储单元阵列包括位线，以及读出放大器，其配置为耦合到存储单元阵列的至少两条位线，并配置为耦合到不同存储单元阵列的至少两条位线。
Original abstractProvided is a memory device with a shared open bit line sense amplifier architecture. The memory device includes memory cell arrays, each memory cell array including bit lines, and a sense amplifier configured to couple to at least two bit lines a memory cell array and configured to couple to at least two bit lines of a different memory cell array.
专利附图（8）
来源状态与事件
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